一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法专利登记公告

专利名称：一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法

摘要：本发明公开了一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，将重掺硼直拉硅片置于1000℃-1100℃维持1-2小时，然后自然冷却；其中，所述重掺硼直拉硅片的硼掺杂浓度为7×1019-1.1×1020cm-3。本发明工艺简单，操作方便；能够快速、有效地减少甚至消除重掺硼直拉硅片中的原生位错，有效提高了重掺硼直拉硅片的质量；特别适用于硼掺杂浓度为7×1019-1.1×1020cm-3的重掺硼直拉硅片。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210011355.1

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：马向阳;葛媛;赵建江;杨德仁

主权项：一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，将重掺硼直拉硅片置于1000℃?1100℃维持1?2小时，然后自然冷却。

专利地区：浙江