一种真空多腔原子层沉积设备专利登记公告

专利名称：一种真空多腔原子层沉积设备

摘要：一种真空多腔原子层沉积设备，其目的是要解决现有技术成膜过程耗时长、产量低、设备结构复杂及制造成本高的技术难题。本发明调整了原有的反应腔结构，每个前躯体拥有一个独立的反应腔，每个反应腔都拥有一个真空泵，在其中至少一个反应腔中设有能量来源装置；在另外的反应腔中设有前躯体，上述存片装置、冷却装置及反应腔与传送装置相接并相通。该设备还可根据反应需要及产量要求在此基础上以能够生成一层原子层厚度薄膜的腔体为一套腔体，可成倍的进行加载。本发明采用环形腔体结构、长方形腔体结构和圆环形的腔体结构。可广泛用于金属、玻璃、硅片

专利类型：发明专利

专利号：CN201210012672.5

专利申请（专利权）人：姜谦

专利发明（设计）人：姜谦

主权项：一种真空多腔原子层沉积设备，包括冷却装置和存片装置，其特征在于：每个前躯体拥有一个独立的反应腔，每个反应腔都拥有一个真空泵，在其中至少一个反应腔中设有能量来源装置；在另外的反应腔中设有前躯体，上述存片装置、冷却装置及反应腔与传送装置相接并相通，该设备以能够生成一层原子层厚度薄膜的腔体为一套腔体，可成倍的进行加载，上述的反应腔都是一个真空的腔体。

专利地区：辽宁