用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法专利登记公告

专利名称：用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法

摘要：本发明涉及用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法。在本发明的第一优选实施例中，将导电部件(44)形成在第一介电蚀刻停止层(40)上，且将第二介电材料(48)沉积在所述导电部件上方及之间。在所述第一与第二电介质之间具有选择性的通至所述导电部件的通路蚀刻将停止在所述介电蚀刻停止层上，从而限制过蚀刻。在第二实施例中，以减去图案及蚀刻工艺形成多个导电部件(64)，用介电填充剂(68)对其进行填充，且然后形成共同暴露导电部件及介电填充剂的表面。将介电蚀刻停止层(72)沉积在所述表面上，然后第三电介质(

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013376.7

专利申请（专利权）人：桑迪士克3D公司

专利发明（设计）人：克里斯托弗·J·佩蒂

主权项：一种方法，包括：在第一介电材料上方形成多个导电部件；在所述导电部件上方沉积第二介电材料；在所述第二介电材料中蚀刻空穴，其中所述蚀刻在所述第一与第二介电材料之间具有选择性，并且所述蚀刻停止在所述第一介电材料上；及暴露所述导电部件的一部分。

专利地区：美国