一种微纳米激光二极管的制备方法专利登记公告

专利名称：一种微纳米激光二极管的制备方法

摘要：本发明公开了一种微纳米激光二极管的制备方法，该方法首先在P型氮化镓(GaN)薄膜表面旋涂一层P型聚合物半导体薄膜，如聚乙烯基咔唑(PVK)、聚芴（PF）、聚对苯乙烯撑(PPV)、聚-3烷基噻吩(P3HT)及其衍生物等P型半导体聚合物，然后将单根氧化锌(ZnO)微米棒集成在旋涂p型半导体聚合物的p型GaN薄膜表面形成异质结，然后在集成有ZnO微米棒的p型GaN表面制备一层绝缘薄膜（如：聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，聚二甲基硅氧烷(PDMS),二氧化硅(SiO2),三氧化二铝(Al2O3)等有机或者无机透明绝

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013790.8

专利申请（专利权）人：东南大学

专利发明（设计）人：徐春祥;朱刚毅;戴俊;林毅;石增良;理记涛

主权项：?一种微纳米激光二极管的制备方法，其特征在于该制备方法为：第一步：将纯度均为99.99%的ZnO粉末和碳粉末按照质量比1:1混合研磨，取该混合物填入陶瓷舟内；将与陶瓷舟开口面积大小接近的硅片经丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气冲干后，将硅片抛光面朝下覆盖与陶瓷舟上方；随后将陶瓷舟推入温度为1000～1200摄氏度的管式炉中；经过30～60分钟反应，ZnO微米棒阵列生长于硅片表面，或或采用水热法制备ZnO微米棒阵列；第二步：将p型GaN经过丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗后，用氮气吹干，?配

专利地区：江苏