基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法专利登记公告
专利名称：基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法
摘要：一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；将生长有第一缓冲层的衬底，放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；在第一缓冲层上外延第二缓冲层；在第二缓冲层上生长赝GaAs层；在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3Ga0.7As上波导层、Al0.5Ga0.5As上包层和赝GaAs接触层；在850nm激光器结
专利类型：发明专利
专利号：CN201210057292.3
专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
专利发明（设计）人：周旭亮;于红艳;潘教青;赵玲娟;王圩
主权项：一种基于硅基赝砷化镓衬底的850nm激光器的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用UHVCVD方法在衬底上生长第一缓冲层；步骤2：将生长有第一缓冲层的衬底，立即放入MOCVD反应室并进行700℃高温处理；步骤3：采用低压MOCVD的方法，在第一缓冲层上外延第二缓冲层；步骤4：在第二缓冲层上生长赝GaAs层；步骤5：采用MOCVD的方法，在赝GaAs层上生长850nm激光器结构，该850nm激光器结构包括依次生长的Al0.5Ga0.5As下包层、Al0.3Ga0.7As下波导、InGaAs有源区、Al0.3G
专利地区：北京
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