一种形成高介电常数金属栅的方法专利登记公告

专利名称：一种形成高介电常数金属栅的方法

摘要：本发明公开一种形成高介电常数金属栅的方法，其中，首先，在衬底上采用物理气相沉积金属层，然后，对所述金属层进行第一次的图形化铝处理；接着将完成图形化的所述铝在纯水电解液中将表面氧化成均匀致密的高介电常数氧化铝，形成栅极绝缘层，金属保留层在电解过程中被移除而同时金属栅的顶部也在电解过程中被移除一定的厚度，栅极绝缘层主要覆盖在金属栅上，并且电解液将金属层外围两侧进行电解处理；对高介电常数氧化铝进行第二次的图形化处理，最后，形成高介电常数金属栅。使用本发明一种形成高介电常数金属栅的方法，使其未采用原子层沉积法，有

专利类型：发明专利

专利号：CN201210014806.7

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：周军

主权项：一种形成高介电常数金属栅的方法，其特征在于，首先，在衬底上采用物理气相沉积金属层，然后，对所述金属层进行第一次的图形化铝处理；第一次对金属层实施刻蚀过程，金属栅上覆盖刻蚀掩膜，而金属层的未被掩膜所遮盖的部分在一定程度上被刻蚀掉；接着将完成图形化的所述铝在纯水电解液中将表面氧化成均匀致密的高介电常数氧化铝，形成栅极绝缘层，金属保留层在电解过程中被移除而同时金属栅的顶部也在电解过程中被移除一定的厚度，栅极绝缘层主要覆盖在金属栅上，并且电解液将金属层外围两侧进行电解处理；对高介电常数氧化铝进行第二次的图形化处理

专利地区：上海