一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺专利登记公告
专利名称：一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺
摘要：本发明公开一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其中，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。使用本发明一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，通过在多晶硅上成型顶部局部开槽的栅极方法，从而最终形成形貌平直的栅极镍硅化物。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110356287.8
专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司
专利发明（设计）人：郑春生;张文广;徐强;陈玉文
主权项：一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺，其特征在于，包括有多晶硅，在所述多晶硅的顶部局部开槽，该开槽工艺采用新的光罩，采用单次图形化和刻蚀成形，以形成栅极，当镍与所述多晶硅发生反应形成硅化物时，最终成形为形貌平直的栅极镍硅化物。
专利地区：上海
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