一种淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法专利登记公告

专利名称：一种淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法

摘要：本发明公开了一种淀积SONOS存储器隧穿氧化层的方法，其中，具体步骤包括：步骤a、于一硅衬底上以原位水气生成工艺淀积形成一层氧化硅层；步骤b、对所述氧化硅层进行氮化，形成氮化层；步骤c、于所述氮化层表面形成一层氮化硅存储介质层；步骤d、于所述氮化硅存储介质层表面形成一层第二氧化硅层；步骤e、于所述第二氧化硅层上形成多晶硅栅。本发明的有益效果是：氧化物薄膜体内缺陷少，界面态密度较小，氧化物薄膜的质量提高，降低隧穿氧化层的厚度，增加了氮化膜存储介质层的厚度，提升擦写速度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110265324.4

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：黄奕仙;杨斌

主权项：一种淀积SONOS?存储器隧穿氧化层的方法，其特征在于，具体步骤包括：步骤a、于一硅衬底上以原位水气生成工艺淀积形成一层氧化硅层；步骤b、对所述氧化硅层进行氮化，形成氮化层；步骤c、于所述氮化层表面形成一层氮化硅存储介质层；步骤d、于所述氮化硅存储介质层表面形成一层第二氧化硅层；步骤e、于所述第二氧化硅层上形成多晶硅栅。

专利地区：上海