一种金属栅极的形成方法专利登记公告

专利名称：一种金属栅极的形成方法

摘要：本发明提供了一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅具有侧壁；在所述半导体衬底、伪栅及其侧壁表面形成阻挡层；在阻挡层表面覆盖形成牺牲介质层；刻蚀牺牲介质层以及位于伪栅顶部及其侧壁表面的阻挡层，暴露出所述伪栅，并使得所述牺牲介质层以及阻挡层的顶部低于伪栅顶部；去除所述牺牲介质层；在所述阻挡层以及伪栅的表面覆盖沉积层间介质层；研磨所述层间介质层直至露出伪栅顶部，所述层间介质层表面与伪栅顶部相平齐；去除所述伪栅，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极。本发明能够防止层间介质

专利类型：发明专利

专利号：CN201010612985.5

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：何其旸;张翼英

主权项：一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有伪栅，所述伪栅具有侧壁；在所述半导体衬底、伪栅及其侧壁表面形成阻挡层；在阻挡层表面覆盖形成牺牲介质层；刻蚀牺牲介质层以及位于伪栅顶部及其侧壁表面的阻挡层，暴露出所述伪栅，并使得所述牺牲介质层以及阻挡层的顶部低于伪栅顶部；去除所述牺牲介质层；在所述阻挡层以及伪栅的表面覆盖沉积层间介质层；研磨所述层间介质层直至露出伪栅顶部，所述层间介质层表面与伪栅顶部相平齐；去除所述伪栅，形成沟槽；在所述沟槽内形成金属栅极。

专利地区：上海