一种金属栅极的制作方法专利登记公告

专利名称：一种金属栅极的制作方法

摘要：一种金属栅极的制作方法：在提供的半导体衬底上形成栅氧化层和替代栅极后，在替代栅极两侧形成侧壁层；以侧壁层和替代栅极为掩膜，对半导体衬底进行离子注入形成源漏区；在半导体衬底、侧壁层及替代栅极表面沉积接触刻蚀停止层；在接触刻蚀停止层沉积第一金属前介质层后，所沉积的第一金属前介质层高度超过替代栅极表面，抛光至接触刻蚀停止层停止，在同一平面上的第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面形成台阶；在第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面沉积第二金属前介质层，完全覆盖所述台阶后，再次抛光至替代栅极表面；刻蚀掉替代栅极

专利类型：发明专利

专利号：CN201010610018.5

专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

专利发明（设计）人：鲍宇;蒋莉

主权项：一种金属栅极的制作方法，其特征在于，该方法包括：在提供的半导体衬底上形成栅氧化层和替代栅极后，在替代栅极两侧形成侧壁层；以侧壁层和替代栅极为掩膜，对半导体衬底进行离子注入形成源漏区；在半导体衬底、侧壁层及替代栅极表面沉积接触刻蚀停止层；在接触刻蚀停止层沉积第一金属前介质层后，所沉积的第一金属前介质层高度超过替代栅极表面，抛光至接触刻蚀停止层停止，在同一平面上的第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面形成台阶；在第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面沉积第二金属前介质层，完全覆盖所述台阶后，再次抛光至替代

专利地区：上海