自对准金属硅化物的形成方法专利登记公告

专利名称：自对准金属硅化物的形成方法

摘要：一种自对准金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。本发明能够减弱或避免自对准金属硅化物的横向扩散问题，有利于提高器件的性能和可靠性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201010599252.2

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：罗军;赵超;钟汇才

主权项：一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。

专利地区：北京