在磷化铟衬底上制备T型栅的方法专利登记公告

专利名称：在磷化铟衬底上制备T型栅的方法

摘要：公开了一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括A、清洗外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后外延片上；B、在外延片上匀第一层电子束胶ZEP520A，前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀第二层电子束胶PMGI，前烘；D、在所述第二层电子束胶PMGI上匀第三层电子束胶PMMA，前烘；E、将上述匀有三层束胶层的外延片进行电子束曝光；F、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；G、对上述显影后的外延片腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。根据本发明提供的在磷化铟衬底上制

专利类型：发明专利

专利号：CN201010578372.4

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：黄杰;郭天义;张海英;杨浩

主权项：一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法，其特征在于，包括以下步骤：A、清洗外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后外延片上；B、在外延片上匀第一层电子束胶ZEP520A，然后前烘；C、在所述第一层电子束胶ZEP520A上匀第二层电子束胶PMGI，然后前烘；D、在所述第二层电子束胶PMGI上匀第三层电子束胶PMMA，然后前烘；E、将上述匀有三层束胶层的外延片进行电子束曝光；?F、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；G、对上述显影后的外延片腐蚀栅槽，蒸发栅金属并剥离，形成晶体管T型纳米栅。

专利地区：北京