在磷化铟衬底上制备T型栅的方法专利登记公告

专利名称：在磷化铟衬底上制备T型栅的方法

摘要：公开了在磷化铟衬底上制备T型栅的方法包括：A、清洗磷化铟衬底外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷（HMDS）蒸发在清洗后的外延片上；B、在上述外延片上匀第一层电子束胶PMGI，前烘；C、在上述第一层电子束胶PMGI上匀第二层电子束胶ZEP520A，前烘；D、在上述第二层电子束胶ZEP520A上匀第三层电子束胶PMGI，前烘；E、在上述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶PMMA，然后前烘；F、将上述匀有四层束胶层的外延片进行电子束曝光；G、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影；H、对显影后的外延片进行腐

专利类型：发明专利

专利号：CN201010577818.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：黄杰;郭天义;张海英;杨浩

主权项：一种在磷化铟衬底上制备T型栅的方法，其特征在于，包括步骤如下：A、清洗磷化铟衬底外延片，在真空烘箱内将六甲基二硅氨烷HMDS蒸发在清洗后的外延片上；B、在上述外延片上匀第一层电子束胶PMGI，然后前烘；C、在上述第一层电子束胶PMGI上匀第二层电子束胶ZEP520A，然后前烘；D、在上述第二层电子束胶ZEP520A上匀第三层电子束胶PMGI，然后前烘；E、在上述第三层电子束胶上匀第四层电子束胶PMMA，然后前烘；F、将上述匀有四层束胶层的外延片进行电子束曝光；G、对上述曝光处理后的外延片的各层依次进行显影

专利地区：北京