60伏高压LDPMOS结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：60伏高压LDPMOS结构及其制造方法

摘要：本发明提供一种60伏高压LDPMOS结构及其制造方法，该制造方法包括步骤：提供P型硅衬底，其上形成有N型埋层和P型外延层；在P型外延层中注入N型杂质，形成低浓度的高压N阱，其与N型埋层相接并共同形成高压隔离区；在P型外延层上制作器件/电路部分的多个场氧化隔离；在P型外延层中掺杂形成低压N阱，其左侧部分位于一场氧化隔离的下方并与高压N阱部分重叠；在P型外延层上形成栅极氧化层，其部分覆盖低压N阱区域；在栅极氧化层上热生长多晶硅栅并形成多晶栅极，同时在漏区形成多晶栅场板；以多晶栅极为对准层，分别形成源极、漏极、

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039301.6

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：刘建华;吴晓丽

主权项：一种60伏高压LDPMOS结构(200)的制造方法，包括步骤：提供P型硅衬底，其上形成有N型埋层(202)，在所述P型硅衬底上热生长P型外延层(203)，作为所述高压LDPMOS结构(200)的漏端漂移区；在所述P型外延层(203)中高能注入N型杂质，并经高温扩散形成低浓度的高压N阱(204)，所述高压N阱(204)与所述N型埋层(202)相接并共同形成所述高压LDPMOS结构(200)的高压隔离区(209)；依照标准CMOS工艺，在所述P型外延层(203)上进行局部氧化工艺，制作器件/电路部分的多个场氧

专利地区：上海