半导体发光器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体发光器件及其制造方法

摘要：一种半导体发光器件，其包括：具有不均匀图案的底表面的第一半导体层、在第一半导体层上形成的有源层、在所述有源层上形成的第二半导体层、在所述第二半导体层上形成的第二电极和在所述第一半导体层下形成的第一电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015217.0

专利申请（专利权）人：LG伊诺特有限公司

专利发明（设计）人：崔镇植

主权项：一种半导体发光器件，包括：n电极，所述n电极具有顶表面和底表面；形成在所述n电极的顶表面中的不均匀图案；形成在所述n电极上的n型半导体层，所述n型半导体层具有顶表面和底表面；形成在所述n型半导体层的底表面中的不均匀图案，所述n型半导体层的不均匀图案接触所述n电极的不均匀图案；形成在所述n型半导体层上的有源层；形成在所述有源层上的p型半导体层；以及形成在所述p型半导体层上的p电极。

专利地区：韩国