具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法专利登记公告

专利名称：具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法

摘要：本发明提供一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管及其形成方法，该隧穿晶体管包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成在所述半导体衬底上、环绕所述半导体柱侧壁的沟道区；和形成在所述半导体衬底上、环绕所述沟道区侧壁的栅结构。根据本发明实施例的隧穿晶体管可以提高TFET器件的集成度，以及改善TFET器件的驱动能力。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015260.7

专利申请（专利权）人：清华大学

专利发明（设计）人：崔宁;梁仁荣;王敬;许军

主权项：一种具有准同轴电缆结构的隧穿晶体管，其特征在于，包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，所述半导体衬底为源区或漏区；形成在所述半导体衬底上的具有第二掺杂类型的垂直半导体柱，所述半导体柱为漏区或源区；形成在所述半导体衬底上、环绕所述半导体柱侧壁的沟道区；和形成在所述半导体衬底上、环绕所述沟道区侧壁的栅结构。

专利地区：北京