沟槽型MOS晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：沟槽型MOS晶体管及其制造方法

摘要：本发明提供了一种沟槽型MOS晶体管及其制造方法。根据本发明的沟槽型MOS晶体管包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的漏区，所述漏区包括第一传导型掺杂剂；在所述漏区上的漂移区，所述漂移区包括所述第一传导型掺杂剂；在所述漂移区上的沟道体，所述沟道体包括第二传导型掺杂剂；在所述沟道体上的源区，所述源区包括所述第一传导型掺杂剂；漂移区的沟槽；在所述沟槽内壁上的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上的多晶硅栅极；其中，在所述漂移区中形成有掩埋氧化区。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210030426.2

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：苟鸿雁

主权项：一种沟槽型MOS晶体管，其特征在于包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的漏区，所述漏区包括第一传导型掺杂剂；在所述漏区上的漂移区，所述漂移区包括所述第一传导型掺杂剂；在所述漂移区上的沟道体，所述沟道体包括第二传导型掺杂剂；在所述沟道体上的源区，所述源区包括所述第一传导型掺杂剂；漂移区的沟槽；在所述沟槽内壁上的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上的多晶硅栅极；其中，在所述漂移区中形成有掩埋氧化区。

专利地区：上海