硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法专利登记公告
专利名称：硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法
摘要：本发明提供了一种硅基石墨烯场效应晶体管及其制作方法，该晶体管自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极氧化物层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210033024.8
专利申请（专利权）人：北京中瑞经纬科技有限公司
专利发明（设计）人：况维维;刘兴舫;唐治;陈中
主权项：一种硅基石墨烯场效应晶体管，其特征在于，自下而上包括：栅电极、低阻硅层、栅极氧化物层以及石墨烯层，该晶体管的源区和漏区位于该石墨烯层中，沟道区位于源区和漏区之间。
专利地区：北京
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