晶片封装体的形成方法专利登记公告

专利名称：晶片封装体的形成方法

摘要：本发明提供一种晶片封装体的形成方法，包括：提供一基底，该基底具有一第一表面及一第二表面，其中至少二个导电垫设置于基底的第一表面上；自该基底的该第二表面部分移除该基底以形成朝该第一表面延伸的至少二个孔洞，其中所述孔洞分别对齐于其中一对应的所述导电垫；在形成所述孔洞之后，自该基底的该第二表面部分移除该基底以形成朝该第一表面延伸的至少一凹陷，该凹陷与所述孔洞重叠；于该凹陷的侧壁与底部上及该孔洞的侧壁上形成一绝缘层；以及于该绝缘层上形成一导电层，该导电层电性接触其中一所述导电垫。本发明可提升晶片封装体的品质。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015328.1

专利申请（专利权）人：精材科技股份有限公司

专利发明（设计）人：陈键辉;杨铭堃;刘沧宇;何彦仕

主权项：一种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：提供一基底，该基底具有一第一表面及一第二表面，其中至少二个导电垫设置于基底的第一表面上；自该基底的该第二表面部分移除该基底以形成朝该第一表面延伸的至少二个孔洞，其中所述孔洞分别对齐于对应的所述导电垫；在形成所述孔洞之后，自该基底的该第二表面部分移除该基底以形成朝该第一表面延伸的至少一凹陷，该凹陷与所述孔洞重叠；于该凹陷的侧壁与底部上及该孔洞的侧壁上形成一绝缘层；以及于该绝缘层上形成一导电层，该导电层电性接触其中一所述导电垫。

专利地区：台湾