Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法专利登记公告

专利名称：Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法

摘要：本发明公开了一种Mn-Co-Ni-O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，主要包括以下步骤：第一步，使用正性光刻胶进行正胶光刻，得到所需图案，将需要的台面图形用光刻胶保护起来；第二步，使用现配的还原性刻蚀液，依据样品片厚度估计所需刻蚀的时间，对样品进行刻蚀，刻蚀完成后用丙酮和酒精清洗，用干燥氮气将样品片吹干。本发明实现了Mn-Co-Ni-O热敏材的湿法刻蚀。本发明还指出，在光刻胶的耐受范围内，适当提高温度以及加入适量的盐酸可以提高刻蚀速率。与干法刻蚀相比，大大提高了效率，热敏电阻边缘整齐，侧蚀比小，图形质量高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210026626.0

专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所

专利发明（设计）人：黄志明;周炜;张雷博;侯云;吴敬;褚君浩

主权项：一种Mn?Co?Ni?O热敏薄膜的湿法刻蚀方法，其特征在于包括以下步骤：1)清洗：分别取在氧化铝衬底上生长的MCN样品片数片，置于盛有丙酮的玻璃培养皿中超声清洗，用镊子取出实验片，置于盛有酒精的玻璃培养皿中超声清洗，去离子水、酒精冲洗，干净的氮气将试验片吹干待用；2)甩胶光刻：在暗室中进行甩胶操作，使用正性光刻胶甩胶，预烘干，曝光，显影，得到所需保护的图形，去离子水清洗后吹干，后烘，取出备用；3)配制刻蚀液：使用碘化钾的还原性完成Mn?Co?Ni?O热敏薄膜的腐蚀；使用盐酸提供酸性环境，以提高刻蚀速率，在

专利地区：上海