图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器专利登记公告

专利名称：图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器

摘要：本发明提供了图像传感器顶层刻蚀方法以及图像传感器。在根据本发明的图像传感器顶层刻蚀方法中，所述图像传感器包括感光区域、遮光区域以及外围电路，其中所述遮光区域以及所述外围电路依次布置在所述感光区域的两侧；所述图像传感器顶层刻蚀方法包括：在互联层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成顶层层间介质层；在所述顶层层间介质层上沉积第二钝化层；执行第一刻蚀步骤，以利用掩膜版刻蚀所述顶层层间介质层和所述第二钝化层，由此暴露了所述感光区域上的所述第一钝化层；不利用任何掩膜，在整个芯片上覆盖第三钝化层；以及执行第二刻蚀步

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061943.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：令海阳;包德君;黄庆丰

主权项：一种图像传感器顶层刻蚀方法，所述图像传感器包括感光区域、遮光区域以及外围电路，其中所述遮光区域以及所述外围电路依次布置在所述感光区域的两侧；其特征在于所述图像传感器顶层刻蚀方法包括：在互联层上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成顶层层间介质层；在所述顶层层间介质层上沉积第二钝化层；执行第一刻蚀步骤，以利用掩膜版刻蚀所述顶层层间介质层和所述第二钝化层，由此暴露了所述感光区域上的所述第一钝化层；不利用任何掩膜，在整个芯片上覆盖第三钝化层；以及执行第二刻蚀步骤，利用与所述第一刻蚀步骤相同的掩膜版对所述第三钝化

专利地区：上海