一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法专利登记公告

专利名称：一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法

摘要：本发明一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，其中，包括刻蚀的工艺步骤：步骤一，进行对氧化硅的主刻蚀，并且在所述多晶硅上表面以及未被多晶硅所覆盖的氧化层的上表面保留一层残留氧化硅；步骤二，对残留的氧化硅使用化学清洗，去除刻蚀中生成的聚合物；步骤三，采用远程等离子体的化学预清工艺的氧化硅刻蚀方法完成过刻蚀，去除所述残留氧化硅，以及氧化层，并形成最终栅极补偿隔离区形貌。通过发明一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，有效地采用高选择比，远程等离子体的化学预清工艺的氧化硅刻蚀方法来替代传统等离子体刻蚀中的过刻蚀步骤；同

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047392.8

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：杨渝书;李程;陈玉文

主权项：一种氧化硅栅极补偿隔离区刻蚀的方法，包括：首先使用硅作为衬底，在衬底上表面覆盖氧化物形成氧化层,并在氧化层的上表面通过沉积和刻蚀多晶硅形成多晶栅，在多晶栅的表面以及未被多晶栅所覆盖的氧化层上表面进行氧化硅的沉积其特征在于，还包括刻蚀的工艺步骤：步骤一，进行对氧化硅的主刻蚀，使主刻蚀后的所述多晶硅两侧的氧化硅初步形成补偿隔离区形貌，并且在所述多晶硅上表面以及未被多晶硅所覆盖的氧化层的上表面保留一??层残留氧化硅；步骤二，对残留的氧化硅使用化学清洗，完成对干法刻蚀中生成的聚合物的去除；步骤三，采用远程等离子体

专利地区：上海