通孔形成方法专利登记公告

专利名称：通孔形成方法

摘要：本发明提供一种通孔形成方法，在通孔刻蚀工艺中对刻蚀设备的上和/或下电极温度进行动态调整，可以调节刻蚀过程中聚合物的产生量，扩大通孔底部的线宽，获得较为垂直的形貌，增大工艺窗口，避免刻蚀停止现象，保持电性能的稳定。在此过程中，将电极温度作为新的工艺参数，仅需对工艺菜单作局部调整，没有增加新的工艺流程，不会对产能和生产成本造成明显影响。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210063066.6

专利申请（专利权）人：上海集成电路研发中心有限公司

专利发明（设计）人：王伟军

主权项：一种通孔形成方法，其特征在于，包括：在一衬底上形成膜层结构；对所述膜层结构进行光刻、刻蚀工艺，以形成具有通孔的图形化结构；其中，在所述刻蚀工艺过程中动态调整刻蚀设备的上和/或下电极温度。

专利地区：上海