金属前介质层制造方法专利登记公告

专利名称：金属前介质层制造方法

摘要：本发明公开了一种金属前介质层制造方法，在沉积PETEOS氧化硅层之前，先进行等离子体处理(plasma?treatment)，因而可以对所有区域的HARP膜产生作用，从而确保获得稳定且处于较高拉应力状态的HARP膜。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210081230.6

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：郑春生;张文广;陈玉文

主权项：一种金属前介质层制造方法，其特征在于，包括：S1：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层；S2：在半导体衬底上依次沉积张应力氮化硅层和HARP膜；S3：对所述HARP膜进行等离子体处理；S4：在所述HARP膜上沉积PETEOS氧化硅层；S5：进行化学机械研磨工艺，直至暴露出所述HARP膜的表面；以及S6：再次对所述HARP膜进行等离子体处理。

专利地区：上海