一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法专利登记公告

专利名称：一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法

摘要：本发明提供了一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，包括以下步骤：(1)利用MOCVD方法在衬底上生长GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)将GaN外延片减薄；(3)将减薄GaN外延片清洗干净并干燥；(4)使用金属层将减薄GaN外延片键合到其它衬底上，形成GaN基片；(5)清洗干净GaN基片并干燥；(6)将GaN基片按HVPE方法外延生长，得到GaN单晶。本发明通过GaN外延片减薄、清洗干燥、GaN外延片键合、再清洗干燥以及HVPE法生长，最后得到了应力完全释放的高质量GaN单晶，是一种完全释放GaN

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015837.4

专利申请（专利权）人：山东大学

专利发明（设计）人：郝霄鹏;戴元滨;邵永亮;吴拥中;刘晓燕;张浩东;田媛

主权项：一种使用减薄键合结构进行GaN单晶生长的方法，其特征是，包括以下步骤：(1)利用MOCVD工艺在衬底上外延生长2μm?10μm厚的GaN薄膜，形成GaN外延片；(2)机械研磨GaN外延片的衬底，将GaN外延片的厚度减薄至20μm?100μm；(3)将减薄后的GaN外延片，在25℃?53℃丙酮和25℃?73℃乙醇溶液下分别清洗1分钟?5分钟，用去离子水冲洗干净，再在分析纯盐酸中漂洗1分钟?5分钟，去离子水冲洗干净，氮气烘干；(4)使用不同金属层，将减薄后的GaN外延片键合到另一衬底上，键合的压力为0?100

专利地区：山东