生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜及其制备方法专利登记公告
专利名称：生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜及其制备方法
摘要：本发明公开了生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜，包括生长在LiGaO2衬底上的非极性a面InN缓冲层及生长在非极性a面InN缓冲层上的非极性a面InN层；所述非极性a面InN缓冲层是在衬底温度为300-350℃时生长的InN膜层；所述非极性a面InN层是在衬底温度为500-550℃时生长的InN膜层。本发明还公开了上述非极性a面InN薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，消除了InN材料分解温度与反应活性之间的矛盾问题，且制备的非极性InN薄膜缺陷密度低、结晶
专利类型：发明专利
专利号：CN201210056851.9
专利申请（专利权）人：华南理工大学
专利发明（设计）人：李国强;杨慧
主权项：生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜，其特征在于，包括生长在LiGaO2衬底上的非极性a面InN缓冲层及生长在非极性a面InN缓冲层上的非极性a面InN外延层；所述非极性a面InN缓冲层是在衬底温度为300?350℃时生长的InN层；所述非极性a面InN层是在衬底温度为500?550℃时生长的InN层。
专利地区：广东
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