制备硅纳米线阵列的方法专利登记公告

专利名称：制备硅纳米线阵列的方法

摘要：本发明涉及一种硅纳米线阵列的制备方法，属于纳米硅的制备技术领域。本发明先在洁净的硅片上进行银镜反应；然后将其放入刻蚀液中在一定温度下进行刻蚀，所述刻蚀液为含有HF和H2O2的混合水溶液；刻蚀完成后的硅片进行水洗，然后除银水洗，最后真空干燥既可得到硅纳米线的阵列。该方法有利于在硅片表面进行选择性刻蚀得到硅纳米线阵列，且所需温度低、设备简单、制备迅捷，能够成功地制备出大面积规则排列的硅纳米线阵列，适用于微电子行业以及规模化工业生产。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210015990.7

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：陶斯禄;蒋一岚;周春

主权项：制备硅纳米线阵列的方法，其特征在于由以下步骤完成：a、在洁净的硅片上进行银镜反应；b、然后将其放入刻蚀液中进行刻蚀，所述刻蚀液为含有HF和H2O2的混合水溶液；c、刻蚀完成后的硅片进行水洗，然后除银水洗，最后真空干燥既可。

专利地区：四川