一种检测晶圆内部的杂质的方法专利登记公告

专利名称：一种检测晶圆内部的杂质的方法

摘要：本发明公开了一种检测晶圆内部的杂质的方法，包括：将晶圆表面蚀刻去除预定厚度；在蚀刻后的晶圆表面上进行采样，获得蚀刻后的晶圆的采样样品；对采样样品进行分析，获得晶圆内部的杂质的信息。本发明实施例中，使用蚀刻的方法去除晶圆表面的材料层，然后对蚀刻后的晶圆表面进行定点采样并对采样样品进行分析获得晶圆的杂质信息。这样，能够对晶圆表面层以下以微米单位的厚度进行层层去除，从而获取晶圆内部微米厚度层上的杂质含量分布数据，并且避免了机械切割检测方法难以获取微米厚度层进行采样以及机械切割检测方法导入污染物的不足。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210016628.1

专利申请（专利权）人：叶伟清

专利发明（设计）人：叶伟清

主权项：一种检测晶圆内部的杂质的方法，其特征在于，包括：将晶圆表面蚀刻去除预定厚度；在蚀刻后的晶圆表面上进行采样，获得所述蚀刻后的晶圆的采样样品；对所述采样样品进行分析，获得所述晶圆内部的杂质的信息。

专利地区：上海