LED侧面钝化层质量的测试结构及测试方法专利登记公告

专利名称：LED侧面钝化层质量的测试结构及测试方法

摘要：本发明公开了一种LED侧面钝化层质量的测试结构，通过在LED芯片的侧面及衬底的背面上制备G电极，从而可对LED芯片的侧面钝化层的等效电阻进行测量，并进一步对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；同时，还公开了一种LED侧面钝化层质量的测试方法，通过测量LED芯片P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻，并分别与一标准LED芯片样品的P区钝化层的等效电阻及N区钝化层的等效电阻进行比较，从而可对LED芯片的侧面钝化层的质量进行检测；该方法简单方便，并且成本较低。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210054565.9

专利申请（专利权）人：复旦大学;上海半导体照明工程技术研究中心

专利发明（设计）人：戴炜锋;李越生;周颖圆;李抒智;马可军

主权项：一种LED侧面钝化层质量的测试结构，包括LED芯片，其中，所述LED芯片包括衬底、依次制备在所述衬底上的N层及P层，所述LED芯片的侧面及所述P层上均制备有钝化层，所述N层及P层分别与N电极及P电极电性相连，其特征在于，所述LED芯片上还制备有G电极，所述G电极覆盖在所述LED芯片的侧面及衬底的背面。

专利地区：上海