晶硅太阳能电池及晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法专利登记公告

专利名称：晶硅太阳能电池及晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法

摘要：本发明提供了一种晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，用于去除经扩散工序后在硅片边缘形成的扩散层，包括步骤：生成耐碱薄膜层于硅片的上表面和下表面；使用第一预设浓度的碱溶液以第一预设温度清洗具有耐碱薄膜层的硅片第一预设时间；将碱洗后的硅片置于第二预设浓度的盐酸中以第二预设温度酸洗第二预设时间；使用第三预设温度的去离子水清洗酸洗后的硅片第三预设时间；对清洗后的硅片进行去离子水提拉清洗，并烘干。硅片上下表面均形成一层耐碱薄膜层，对硅片进行碱溶液清洗，碱溶液对硅片的边缘未覆盖耐碱薄膜层的部分进行碱溶液清洗，去除了边缘部分

专利类型：发明专利

专利号：CN201210017809.6

专利申请（专利权）人：英利能源（中国）有限公司

专利发明（设计）人：陈剑辉;赵文超;王建明;陈迎乐;王子谦;沈燕龙;李高非;胡志岩;熊景峰

主权项：一种晶硅太阳能电池边缘刻蚀的方法，用于去除经扩散工序后在硅片边缘形成的扩散层，其特征在于，包括如下步骤：1)生成耐碱薄膜层于所述硅片的上表面和下表面，得到具有耐碱薄膜层的硅片；2)使用第一预设浓度的碱性溶液以第一预设温度清洗具有耐碱薄膜层的硅片第一预设时间，得到碱洗后的硅片；3)将碱洗后的硅片置于第二预设浓度的酸性溶液中以第二预设温度酸洗第二预设时间，得到酸洗后的硅片；4)使用第三预设温度的去离子水清洗酸洗后的硅片第三预设时间，得到清洗后的硅片；5)对清洗后的硅片进行去离子水提拉清洗，并烘干，得到去除边缘

专利地区：河北