Pt/Ti/SiO₂/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法专利登记公告

专利名称：Pt/Ti/SiO₂/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法

摘要：本发明提供了一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法，其中包括：衬底的清洗，薄膜的生长，电极的制备。其特征在于采用湿化学法制备Mn-Co-Ni-O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料。采用本方法制备的探测器可以实现紫外-可见-红外宽波段探测。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019112.2

专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所

专利发明（设计）人：侯云;黄志明;高艳卿;吴敬;张雷博;周炜;张琰;褚君浩

主权项：一种基于Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜型光电探测器的制备方法，其特征在于包括以下步骤：1).衬底的清洗：选择表面可以导电的Pt/Ti/SiO2/Si衬底，用常规的方法清洗，去除衬底表面的杂质和污物，然后烘干备用；2).薄膜的生长：采用专利ZL：200610030144.7中所述的湿化学法制备Mn?Co?Ni?O薄膜，选取醋酸锰、醋酸钴、醋酸镍为原料，以冰醋酸作溶剂，分别配制导电类型是n和p的前驱体溶液，然后使用匀胶机和快速退火炉来制备薄膜材料；先是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底(1)上生长导

专利地区：上海