一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法专利登记公告

专利名称：一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法

摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器及CMOS图像传感器的制造方法，相应的CMOS图像传感器包括高反射率薄膜和两层金属连线，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部。相应的方法包括在硅衬底材料上将As或P离子植入衬底材料形成N型光电二极管；光电二极管之间的衬底材料采用腐蚀工艺蚀刻开并填充形成浅沟槽绝缘；在衬底表面逐层淀积介质层和金属层，复合层作为金属的介质层；将光电二极管表面的介质材料腐蚀，形成凹槽侧壁及凹槽状，在凹槽侧壁及凹槽外部介质上表面形成一层高反射率薄膜；在凹槽中淀积彩色滤光片材料

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018146.X

专利申请（专利权）人：北京思比科微电子技术股份有限公司

专利发明（设计）人：赵文霖;陈多金;赵建波;唐冕;陈杰;刘志碧;旷章曲

主权项：一种CMOS图像传感器，包括高反射率薄膜和两层金属连线，其特征在于，用于屏蔽入射光的高反射率薄膜设置在两层金属连线的四周和顶部。

专利地区：北京