CMOS图像传感器专利登记公告

专利名称：CMOS图像传感器

摘要：一种CMOS图像传感器，包括：衬底；位于所述衬底的感光二极管、传输晶体管和复位晶体管；浮置扩散区，位于所述衬底中、所述传输晶体管和所述复位晶体管之间，所述浮置扩散区具有结电容；与所述浮置扩散区的结电容并联的MOS电容，所述MOS电容包括：位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极和所述衬底之间的介质层、位于所述衬底中的掺杂区。本技术可使图像传感器具有更大的动态范围。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210049341.9

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：饶金华;张克云;吴小利

主权项：一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底的感光二极管、传输晶体管和复位晶体管；浮置扩散区，位于所述衬底中、所述传输晶体管和所述复位晶体管之间，所述浮置扩散区具有结电容；与所述浮置扩散区的结电容并联的MOS电容，所述MOS电容包括：位于所述衬底上的栅极、位于所述栅极和所述衬底之间的介质层、位于所述衬底中的掺杂区。

专利地区：上海