发光二极管结构专利登记公告

专利名称：发光二极管结构

摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其是于一发光二极管晶粒的透明导电层上方设置一光学滤光膜，通过光学滤光膜对不同波长的光具有选择性反射率及穿透率，因此，发光二极管晶粒所发出的光可穿透光学滤光膜，而二极管晶粒所发出的光激发荧光材料后所产生的激发光则被反射，如此可减少激发光散射回晶粒后被吸收所造成的光能损失，进而增提高发光二极管的亮度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210018405.9

专利申请（专利权）人：新世纪光电股份有限公司

专利发明（设计）人：林子暘;赖育弘

主权项：一种发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板；一第一半导体层，设于该基板上方；一主动层，是设于该第一半导体层的上方，该发光层可发出具一第一波长之光；一第二半导体层，设于该主动层的上方；及一透明导电层，设于该第二半导体层上方；其中，该第一半导体层上方设置一第一金属电极，该透明导电层上方设置一第二金属电极，更进一步包含至少一光学滤光膜，该光学滤光膜设于该透明导电层上方并延伸覆盖部分的该第二半导体层与部分的该第一半导体层，该第一金属电极与该第二金属电极裸露于该光学滤光膜。

专利地区：台湾