一种氮化镓基发光二极管及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种氮化镓基发光二极管及其制作方法

摘要：本发明涉及一种具有金属反射层的氮化镓基高亮度发光二极管及其制作方法，其特征在于包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，其中外延层由P型层、发光区、N型层组成；金属反射层，形成于外延层上；电流阻挡层，完全包覆在金属反射层上；电流扩展层，完全包覆在电流阻挡层上；P电极，形成于电流扩展层上；N电极，形成于N型层上。本发明通过在金属反射层外包覆电流阻挡层，形成新型反射电极结构，有效保护了金属反射层，避免金属反射层与空气接触，防止被氧化，提高抗高温高湿能力；同时这种结构又兼具电流阻挡的作用，进一步提高了芯片的发光效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210183838.X

专利申请（专利权）人：安徽三安光电有限公司

专利发明（设计）人：何安和;林素慧;郑建森;彭康伟;林潇雄;刘传桂

主权项：一种氮化镓基发光二极管，包括：衬底；外延层，形成于该衬底上，由P型层、发光区、N型层组成；金属反射层，形成于外延层之上；电流阻挡层，形成于外延层之上，并完全包覆所述金属反射层；电流扩展层，形成于所述电流阻挡层之上，且至少部分区域与所述p型层接触；P电极，形成于所述电流扩展层之上；N电极，形成于N型层之上。

专利地区：安徽