纯钨或钼薄壁器件的制备方法专利登记公告

专利名称：纯钨或钼薄壁器件的制备方法

摘要：一种纯钨或钼薄壁器件的制备方法，属于粉末冶金技术领域。工艺步骤为：以紫铜材质制作所需器件的模板，其表面粗糙度Ra低于6.3并保持表面清洁干燥；将模板放入气相沉积室内，以六羰基钨或六羰基钼为反应有机源，高纯氢气或氮气为稀释气，在沉积室压力500～10000Pa、沉积温度280～420℃条件下在模板上进行热解离气相沉积，沉积过程中根据沉积壁厚要求每沉积2～4小时进行一次退火。沉积完成后，关闭有机源阀门，继续通入稀释气保持器件降至室温。将模板表面沉积钨或钼的器件采用硝酸腐蚀去除紫铜模板基体，得到壁厚0.1～3m

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019137.2

专利申请（专利权）人：中国钢研科技集团有限公司

专利发明（设计）人：李一;柳学全;周武平;李金普;李楠;霍静;熊宁;石文

主权项：一种纯钨或钼薄壁器件的制备方法，其特征在于，工艺步骤为：(1)以紫铜材质制作所需器件的模板，其表面粗糙度Ra为0.8～6.3，并保持表面清洁干燥；(2)将紫铜材质模板放入气相沉积室内，并抽真空至10Pa以下，然后预热紫铜材质模板至280～420℃。(3)向沉积室通入六羰基钨或六羰基钼与稀释气的混合气，保持沉积室压力500～10000Pa、沉积温度280～420℃条件下六羰基钨或六羰基钼在紫铜模板上进行热解离气相沉积，直至沉积膜厚满足制备器件壁厚0.1～3mm要求。(4)沉积完成后，关闭有机源阀门，继续通入

专利地区：北京