薄膜晶体管及其制造方法专利登记公告

专利名称：薄膜晶体管及其制造方法

摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体通道层；在栅绝缘层及金属氧化物半导体通道层上形成源极及漏极；源极及漏极的形成方法包括下列步骤：依序形成第一导体层及第二导体层，接着在第二导体层上形成图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜并以第一导体层为终止层进行湿式蚀刻，以图案化第二导体层；以图案化光阻层为掩膜进行干式蚀刻，以图案化第一导体层，其中金属氧化物半导体通道层的部分区域被源极及漏极暴露；以含氟的气体对暴露的金属氧化物半导体通道层进行表面处理

专利类型：发明专利

专利号：CN201210020999.7

专利申请（专利权）人：友达光电股份有限公司

专利发明（设计）人：李刘中;陈佳榆

主权项：一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖所述栅极；一金属氧化物半导体通道层，配置于所述栅绝缘层上，其中所述金属氧化物半导体通道层位于所述栅极上方；以及一源极及一漏极，配置于所述栅绝缘层及所述金属氧化物半导体通道层上，其中所述源极及所述漏极的材质包括第一图案化导体层和/或第二图案化导体层的叠层；所述第一图案化导体层与所述第二图案化导体层为金属层，所述第一图案化导体层具有一突出部，突出于所述第二图案化导体层侧壁，所述第二图案化导体层的面积小于所述第一图案化导体层的面积，且所述第

专利地区：台湾