半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体装置的制造方法

摘要：本发明提供使用了氧化物半导体膜的截止电流极小的晶体管。此外，本发明通过应用该晶体管从而提供耗电量极小的半导体装置。在衬底上通过加热处理来形成释放氧的基底绝缘膜，在基底绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜，并对衬底进行加热处理。接着，在第一氧化物半导体膜上形成导电膜，并对该导电膜进行加工以形成源电极及漏电极。接着，在对第一氧化物半导体膜进行加工来形成第二氧化物半导体膜之后，立即形成覆盖源电极、漏电极及第二氧化物半导体膜的栅极绝缘膜，并在栅极绝缘膜上形成栅电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210021268.4

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平

主权项：一种半导体装置，包括晶体管，该晶体管包括：半导体膜；以及所述半导体膜上的源电极及漏电极，其中，所述源电极及漏电极的整个部分覆盖所述半导体膜的一部分。

专利地区：日本