半导体器件的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件的制造方法

摘要：本发明的半导体器件的制造方法包含以下步骤：在衬底上形成栅极电极；在栅极电极上形成栅极绝缘膜；形成氧化物半导体膜；在形成第一氧化物半导体膜的步骤之后，进行热处理以形成第二氧化物半导体膜；形成第一导电膜；形成包含厚度不同的区域的第一抗蚀剂掩模；利用第一抗蚀剂掩模蚀刻第二氧化物半导体膜及第一导电膜以形成第三氧化物半导体膜及第二导电膜；减小第一抗蚀剂掩模的尺寸以形成第二抗蚀剂掩模；利用第二抗蚀剂掩模选择性地蚀刻第二导电膜以除去第二导电膜的一部分，以便形成源极电极及漏极电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210022755.2

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：山崎舜平

主权项：一种半导体器件，包含：栅极电极；所述栅极电极上的第一绝缘膜；所述栅极电极上的氧化物半导体层，所述第一绝缘膜置于其间；以及所述氧化物半导体层上的第一电极和第二电极，其中，当从上方观察时，所述第一电极和所述第二电极设置在所述氧化物半导体层的上端之内。

专利地区：日本