半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210044361.7

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：秋元健吾;本田达也;曾根宽人

主权项：一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上方形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层上形成钝化膜，以便防止水汽进入氧化物半导体层；以及加热氧化物半导体层，其中氧化物半导体层实质上是本征的。

专利地区：日本