反相器专利登记公告

专利名称：反相器

摘要：本发明涉及反相器。所述反相器包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057047.2

专利申请（专利权）人：佳能株式会社

专利发明（设计）人：大藤将人;安部胜美;林享;佐野政史;云见日出也

主权项：一种反相器，包括形成在基板上的多个氧化物半导体薄膜晶体管，其中，所述多个氧化物半导体薄膜晶体管之中的每一个包含选自In、Ga和Zn的至少一种元素，其中，至少两个氧化物半导体薄膜晶体管的沟道层的厚度互不相同，以及其中，所述两个氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压互不相同。

专利地区：日本