一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法

摘要：本发明提供了一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚及其制备方法。本发明坩埚包括本体、氮化硅层和高纯隔离层，本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，底座和侧壁共同围成一收容空间，氮化硅层附着在朝向收容空间的本体底座和侧壁，隔离层附着于所述氮化硅层之上，朝向收容空间内的本体底座。本发明坩埚可防止坩埚本体底座和氮化硅层中的杂质扩散进入籽晶中，从而降低硅锭尾部低少子寿命区域长度，提高硅锭利用率。同时，未熔化的籽晶，由于未受到来自杂质的污染，也可以进行重复利用，提高籽晶利用次数。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210022550.4

专利申请（专利权）人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司

专利发明（设计）人：胡动力

主权项：一种提高硅锭利用率和籽晶使用次数的坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体、氮化硅层和隔离层，所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，所述氮化硅层附着在朝向所述收容空间的所述本体底座和侧壁，所述隔离层附着于所述氮化硅层之上，朝向所述收容空间内的本体底座。

专利地区：江西