非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法专利登记公告

专利名称：非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法

摘要：本发明涉及一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法，具有如下步骤：1)在坩埚底部铺设籽晶；2)在籽晶上铺设低堆积密度硅料层；3)在低堆积密度硅料层上，铺设高堆积密度硅料层；4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料；5)将按照1至4步骤进行装料的坩埚置于铸锭炉中熔化，通过激光测距仪实时测量硅熔体液面；6)当监测到硅熔体液面高度加快下降时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，并开始向上结晶。该方法通过装料方式和激光测量液位相结合的方式，来控制籽晶熔化剩余高度，具有精度高、稳定、自动化程度高、

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047063.3

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：叶宏亮;陈雪;黄振飞

主权项：一种非接触式控制铸锭单晶硅籽晶熔化剩余高度的方法，其特征是：具有如下步骤：1)在坩埚底部铺设籽晶；2)在籽晶上铺设低堆积密度硅料层；3)在低堆积密度硅料层上，铺设高堆积密度硅料层；4)在高堆积密度硅料层上放入掺杂剂及其它多晶硅原料；5)将按照1至4步骤的装料方式进行装料的坩埚置于铸锭炉中，通过控制热场使硅料将从上往下开始逐层熔化，在熔化阶段，通过激光测距仪实时测量硅熔体液面距离激光器的距离；6)当监测到硅熔体液面高度加快下降时，控制铸锭炉由熔化阶段跳步至长晶阶段，固液界面一段时间后将稳定在籽晶的某一高度，

专利地区：江苏