一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置专利登记公告

专利名称：一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置

摘要：一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置，属于单晶生长技术领域，特别是涉及感应加热物理气相传输生长单晶的装置。包括保温筒，在所述保温筒内设有外坩埚，在所述外坩埚内设有内坩埚，单晶原料与籽晶位于内坩埚内。与使用单坩埚的现有技术相比，本发明不但可以大大减少高熔点坩埚材料的消耗，而且内坩埚取出时不会蹭掉保温材料，从而延长了保温材料的使用寿命。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210094285.0

专利申请（专利权）人：北京华进创威电子有限公司

专利发明（设计）人：倪代秦;吴星;赵岩;何丽娟;王雷;杨巍;马晓亮;李晋

主权项：一种双坩埚感应加热物理气相传输生长单晶的装置，包括保温筒，其特征在于：在所述保温筒内设有外坩埚，在所述外坩埚内设有内坩埚，内外坩埚同轴，单晶原料与籽晶位于内坩埚内。

专利地区：北京