一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法专利登记公告

专利名称：一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法

摘要：本发明涉及一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：旋转磁场发生器通过支架固定在区熔炉炉室的炉壁内距离硅单晶表面1～30cm处，在拉晶过程中向硅熔体施加旋转磁场，其旋转频率为1～19Hz。本发明的技术特点是可有效加强硅熔体内部的对流，进而提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061384.9

专利申请（专利权）人：天津市环欧半导体材料技术有限公司

专利发明（设计）人：张雪囡;王彦君;李建宏;邬丽丽;陈强;苗向春;李军

主权项：一种提高区熔硅单晶径向电阻率均匀性的方法，其特征在于：还包括有旋转磁场发生器（3）和支架（5），旋转磁场发生器（3）通过支架（5）固定在区熔炉炉室的炉壁（4）内，旋转磁场发生器（3）内壁距离硅单晶表面1～30cm；方法步骤为⑴、将卡盘安装在多晶料棒6头部并用扳手拧紧，将卡盘安装在上轴底端，调整多晶料棒（6）使之呈竖直状态，安装加热线圈(1)和保温筒(2)并用水平仪进行水平调整，关闭炉门抽空，之后充入Ar气使炉压达到4bar；⑵、下降多晶料棒（6），缓慢增加功率进行加热，待多晶料棒（6）下端出现熔体后，上升

专利地区：天津