形成受控的空隙的材料和方法专利登记公告

专利名称：形成受控的空隙的材料和方法

摘要：本发明涉及形成受控的空隙的材料和方法。本发明的一个技术方案是在基底上形成气隙的方法，该方法包括：提供基底；通过沉积至少一种牺牲材料前体来沉积牺牲层；沉积复合层；除去复合层中的成孔剂以形成多孔层和使层状基底与除去介质接触以基本上除去牺牲材料并且在基底内提供气隙；其中至少一种牺牲材料前体选自有机成孔剂；硅和极性溶剂可溶的金属氧化物和其混合物。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210022734.0

专利申请（专利权）人：气体产品与化学公司

专利发明（设计）人：R·N·弗尔蒂斯;吴定军;M·L·奥奈尔;M·D·比特纳;J·L·文森特;E·J·小卡瓦克基;A·S·卢卡斯

主权项：形成气隙的方法，该方法包括：(a)提供基底；(b)沉积具有金属前体的极性溶剂可溶的金属氧化物牺牲层；(c)沉积具有成孔剂和至少一种含有氧化硅的前体或有机硅酸盐玻璃(OSG)前体的复合层；(d)对具有牺牲层和复合层的基底应用能量以除去成孔剂而形成多孔层；和(e)使具有牺牲层和多孔层的基底与能够通过多孔层扩散的极性溶剂接触，以选择性地除去牺牲层而形成气隙。

专利地区：美国