功率MOS接触孔的制造方法专利登记公告

专利名称：功率MOS接触孔的制造方法

摘要：本发明提出一种功率MOS接触孔的制造方法，所述接触孔为圆孔，该方法包括如下步骤：S1，准备半导体衬底，所述半导体衬底上已经形成功率MOS；S2，在所述半导体衬底上沉积介质层；S3，在介质层上沉积硬掩模层；S4，对所述硬掩模层进行图案化，以图案化的硬掩膜层为掩模刻蚀介质层，在介质层中形成通孔，并以图案化的硬掩膜层为掩模对半导体衬底进行离子注入；S5，对上述半导体衬底进行退火工艺；S6，在通孔内进行导电材料的填充，形成接触孔。本发明能够得到平直的通孔侧壁，消除通孔顶部凹缩现象，同时工艺窗口、介质层厚度不受影响

专利类型：发明专利

专利号：CN201210030429.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：刘宪周;张怡

主权项：一种功率MOS接触孔的制造方法，所述接触孔为圆孔，该方法包括如下步骤：S1，准备半导体衬底，所述半导体衬底上已经形成功率MOS；S2，在所述半导体衬底上沉积介质层；S3，在介质层上沉积硬掩模层；S4，对所述硬掩模层进行图案化，以图案化的硬掩膜层为掩模刻蚀介质层，在介质层中形成通孔，并以图案化的硬掩膜层为掩模对半导体衬底进行离子注入；S5，对上述半导体衬底进行退火工艺；S6，在通孔内进行导电材料的填充，形成接触孔。

专利地区：上海