一种碳纳米管束垂直互连的制作方法专利登记公告

专利名称：一种碳纳米管束垂直互连的制作方法

摘要：本发明公开一种与TSV工艺相兼容、工艺成熟易于实现、而且互连可靠性和性能均高的碳纳米管束垂直互连的制作方法，本发明先制作开孔，然后只在TSV底部沉积金属催化剂薄膜，使碳纳米管束自底向上在TSV孔底部垂直生长，从而实现TSV孔的填充。同时通过致密化操作使碳纳米管与碳纳米管之间的气体被赶出，从而提高碳纳米管束密度，然后制作成金属包覆碳纳米管束的互连结构，用此结构做为互连材料可以有效地提高其互连可靠性和性能。此方法的优势在于不但与TSV工艺相兼容，工艺成熟易于实现，而且互连可靠性和性能得到很大的提高。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210038865.8

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：曹立强;戴风伟;周静;刘丰满;潘茂云

主权项：一种碳纳米管束垂直互连的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：A在硅基底上端制作TSV盲孔阵列，在所述TSV盲孔阵列的侧壁、底部以及所述硅基底上端依次形成第一绝缘层和阻挡层，然后在所述阻挡层表面旋涂一层聚合物材料作为牺牲层；B去除所述TSV盲孔底部的所述牺牲层，在所述硅基底上端和所述TSV盲孔内制作用于生长碳纳米管的金属催化剂薄膜；C剥离所述硅基底上端和所述TSV盲孔侧壁的所述牺牲层及其上面的所述金属催化剂薄膜，保留所述TSV盲孔阵列底部的所述金属催化剂薄膜；D在所述金属催化剂薄膜上制作碳纳米管束，在所述硅

专利地区：北京