接触孔及其制作方法、半导体器件专利登记公告

专利名称：接触孔及其制作方法、半导体器件

摘要：一种接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的源区、漏区及栅极上淀积BPSG介质层；在所述介质层内形成分别暴露源区、漏区及栅极表面的第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽；在第一至第三沟槽内依次形成Ti金属层、TiN扩散阻挡层，其中，TiN扩散阻挡层通过N2与Ar的混合气体与Ti靶材进行物理气相沉积生成；对所述半导体衬底进行快速热退火以形成Ti的金属硅化物；在所述TiN扩散阻挡层上形成填充各自沟槽的金属层。此外，本发明还提供了上述方法形成的接触孔及包含该接触孔的半导体器件。采用本发明的技术方案，可以

专利类型：发明专利

专利号：CN201210051721.6

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：汪洋

主权项：一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有包括源区、漏区及栅极的MOS晶体管；在所述源区、漏区及栅极上淀积介质层，所述介质层材质为BPSG；在所述介质层内形成分别暴露源区、漏区及栅极表面的第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽；在所述第一沟槽、第二沟槽与第三沟槽内依次形成Ti金属层、TiN扩散阻挡层，其中，TiN扩散阻挡层通过N2与Ar的混合气体与Ti靶材进行物理气相沉积生成；对所述半导体衬底进行快速热退火以形成Ti的金属硅化物；在所述TiN扩散阻挡层上形成填充各自沟槽的金属层。

专利地区：上海