钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法专利登记公告

专利名称：钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法

摘要：一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外延片进行光刻，然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，对外延片进行腐蚀或刻蚀；使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料；进行曝光；进行中烘，显影，在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口，制作电极材料；对电极材料进行光刻，形成上电极和下电极；本发明是采用该制作方法钝化的器

专利类型：发明专利

专利号：CN201210023049.X

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：曹玉莲;马文全;张艳华

主权项：一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括如下步骤：步骤1：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在GaSb衬底上依次生长P型GaSb缓冲层、P型InAs/GaSb二类超晶格层、本征InAs/GaSb二类超晶格光吸收层、N型InAs/GaSb二类超晶格层和N型InAs欧姆接触层，形成外延片；步骤2：把外延片在超声波下依次使用三氯乙烯、丙酮和甲醇在50℃条件下热煮5分钟，然后使用异丙醇脱水，吹干，放在烘箱里烘干；步骤3：对外延片进行光刻，然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，对外延片进

专利地区：北京