钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法专利登记公告
专利名称:钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法
摘要:一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法,包括:采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法,在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层,形成外延片;对外延片进行光刻,然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法,对外延片进行腐蚀或刻蚀;使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料;进行曝光;进行中烘,显影,在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口,制作电极材料;对电极材料进行光刻,形成上电极和下电极;本发明是采用该制作方法钝化的器
专利类型:发明专利
专利号:CN201210023049.X
专利申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
专利发明(设计)人:曹玉莲;马文全;张艳华
主权项:一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法,包括如下步骤:步骤1:采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法,在GaSb衬底上依次生长P型GaSb缓冲层、P型InAs/GaSb二类超晶格层、本征InAs/GaSb二类超晶格光吸收层、N型InAs/GaSb二类超晶格层和N型InAs欧姆接触层,形成外延片;步骤2:把外延片在超声波下依次使用三氯乙烯、丙酮和甲醇在50℃条件下热煮5分钟,然后使用异丙醇脱水,吹干,放在烘箱里烘干;步骤3:对外延片进行光刻,然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法,对外延片进
专利地区:北京
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